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Mitglied
der Leibniz-Gemeinschaft |
Materialien für die Optoelektronik
Mittelfristige Arbeiten und Ziele
Das FE-Vorhaben widmet sich der Synthese und Untersuchung von Materialien mit potentiellen Anwendungen in der Optoelektronik. Methodisch basieren die Arbeiten auf der Spektroskopie von Ladungsträgern, Gitterschwingungen und Störstellen in Halbleitern und niedrigdimensionalen Halbleiterstrukturen, deren Energie/Bandstruktur und Dynamik bzw. der Wechselwirkung mit elektromagnetischer Strahlung vom THz- bis zum sichtbaren Spektralbereich. Die optischen und elektronischen Eigenschaften werden mit den strukturellen Eigenschaften (aus Röntgenbeugung und TEM) korreliert. Besondere Bedeutung haben optische Experimente mit einer hohen Zeitauflösung im sub-Pikosekunden-Bereich unter Verwendung von Tabletop-Lasern sowie die spektroskopische Anwendung des Freie-Elektronen-Lasers an ELBE.
Die untersuchten Materialien lassen sich in das Gebiet der Si-basierten Optoelektronik und III-V-Halbleiter und deren Heterostrukturen unterteilen. Im Bereich der Si-basierten Optoelektronik werden Grundlagen, neuartige Bauelementkonzepte und Anwendungen elektrolumineszenter ionenimplantierter Si- und SiO2-Strukturen untersucht. Die untersuchten III-V-Halbleiterstrukturen, oft mit maßgeschneiderten elektronischen und optischen Eigenschaften, werden aus der Zusammenarbeit mit anderen Gruppen bezogen, die die Möglichkeit zur Herstellung epitaktischer Schichten besitzen. Eine weitere Modifizierung der strukturellen und elektronischen Eigenschaften, z. B. durch Lithographie, Ätzen oder Ionenimplantation erfolgt am Institut.
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| Prof. Dr. Kolitsch, Andreas - 01.01.2009 |
