Die Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation für die Verbesserung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleiter- Bauelementen
Die Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation für die Verbesserung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleiter- Bauelementen
von Borany, J.
Abstract
Im Vortrag werden die Möglichkeiten zur Verbesserung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleiter-Bauelementen mittels einer Ionenbestrahlung vorgestellt. Die grundlegenden physikalischen Effekte und gerätetechnischen Voraussetzungen werden diskutiert und die anwendungsrelevanten Vorteile am Bespiel von schnellen Schaltdioden aufgezeigt.
Keywords: Ion-beam irradiation; Power electronics; Fast Switching Diodes
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 15532) publication
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Sonstiger Vortrag
2. Mitteldeutscher Innovationstag, 14.04.2011, Dresden, Deutschland
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-15532
