Properties of Ga implanted germanium and silicon

Properties of Ga implanted germanium and silicon

Fiedler, J.; Heera, V.; Skrotzki, R.; Herrmannsdörfer, T.; Voelskow, M.; Mücklich, A.; Skorupa, W.; Gobsch, G.; Helm, M.

Beteiligte Forschungsanlagen

• Hochfeld-Magnetlabor (HLD)
• Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159

Verknüpfte Publikationen

• DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 17908) publication

• Vortrag (Konferenzbeitrag)
  Struktur und Eigenschaften dielektrischer Schichten für die Optik, 07.11.2012, Jena, Deutschland

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-17908