Ladungsträger-Tiefenprofilierung an ultra-flachen pn-Übergängen
Ladungsträger-Tiefenprofilierung an ultra-flachen pn-Übergängen
Schmidt, B.; Philipp, P.; Zier, M.; Zimmermann, L.
Abstract
Die Stufenweise Oxidationsprofilierung (SWOP) wurde zur Ladungsträgertiefenprofilierung an Bor-implantierten Silizium eingesetzt. Das Meßverfahren basiert auf einer alternierenden elektrischen Messung des Schichtwiderstandes mit van-der-Pauw (VDP)-Strukturen zwischen jeweils einem Si-Schichtabtrag durch elektrochemische anodische Oxidation. Es konnte gezeigt werden, dass die SWOP-Profile sehr gut mit SIMS-Referenzprofilen übereinstimmen und eine Tiefenauflösung von 1 nm sowie eine Nachweisgrenze 1•1016cm-3 erreicht wird.
Keywords: ion implantation; van der Pauw structures; sheet resistance measurement; charge carrier depth profiles; anodic oxidation
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 18098) publication
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Vakuum in Forschung und Praxis 25(2013)3, 26-31
DOI: 10.1002/vipr.201300520
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-18098