Lumineszenz von Seltenen Erden in SiO2
Lumineszenz von Seltenen Erden in SiO2
Rebohle, L.; Prucnal, S.; Lehmann, J.; Germer, S.; Skorupa, W.
Abstract
Seltenerdbasierte MOS Emitter zeigen bei elektrischer Anregung die für Seltene Erden typischen Lumineszenzspektren. Die Anregung erfolgt über Stoßanregung heißer Elektronen, die aber gleichzeitig zu einer Degradation des Oxides führt. Die für die Elektronen erforderliche Beschleunigungsstrecke in der Größenordnung von 10-20 nm begrenzt die Dicken- und Spannungsskalierung nach unten. Mögliche Strategien zur Optimierung von Effizienz und Betriebslebensdauer beinhalten u. a. die Verwendung von Sensitizern zur Erhöhung des Anregungsquerschnittes bzw. das Einfügen einer SiON-Pufferschicht. Anwendungsmöglichkeiten liegen in der Sensorik mittels integrierter, optoelektronischer Chips.
Keywords: Elektrolumineszenz; Seltene Erden; MOS Struktur; Ionenimplantation
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 18129) publication
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Vortrag (Konferenzbeitrag)
EFDS Seminar “Struktur und Eigenschaften dielektrischer Schichten für die Optik”, 07.11.2012, Jena, Deutschland
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-18129