Publikationsrepositorium - Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

Die Plasma-Immersion-Ionen-Implantation (Pl3) von Fluor, das aus z. B. einem CH2F2-Plasma generiert wurde, in die Oberfläche von TiAl-Bauteilen kann deren Oxidationsbeständigkeit im Temperaturbereich von 700 bis 1100°C an trockener und feuchter Luft oder anderen oxidierenden Atmosphären auch unter Temperaturwechselbeanspruchung gegenüber unbehandelten TiAl-Legierungen deutlich erhöhen. Entgegen dem bisherigen Kenntnisstand, wo nur die reinen Halogene verwendet wurden, lässt sich durch Verwendung von z. B. Difluormethan oder Tetrafluorkohlenstoff ein deutlich vereinfachter Ionen-Implantationsprozess durchführen als bei reiner Fluorimplantation, ohne eine Beeinträchtigung des positiven Fluoreffekts zu erzielen. Das Fluor wird in kontrollierbaren Mengen in die Oberflächenrandzone von TiAl-Bauteilen implantiert, wo es seinen positiven Effekt auf den Oxidationswiderstand entfaltet.