Experimentelle und theoretische Untersuchungen zur elektrischen Aktivierung von Dotanden und zur Festphasenepitaxie in Ge
Experimentelle und theoretische Untersuchungen zur elektrischen Aktivierung von Dotanden und zur Festphasenepitaxie in Ge
Posselt, M.
Abstract
Review of recent results on electrical doping of Ge by ion implantation and ms flash lamp annealing, overview on atomistic simulation of solid phase epitaxial recrystallization of amorphous Ge
Keywords: germanium; electrical doping; ion implantation; flash lamp annealing; solid phase epitaxial recrystallization; computer simulation
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Sonstiger Vortrag
Seminar des Instituts für Materialphysik der Universität Münster, 01.06.2010, Münster, Deutschland
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-14145
