Publikationsrepositorium - Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf

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P1012 - Supraleitende Strukturen auf Schaltungen oder Schaltungselementen, Herstellung dieser Strukturen und deren Verwendung

Skrotzki, R.; Heera, V.; Hermannsdörfer, T.; Fiedler, J.; Schmidt, B.; Helm, M.

Abstract

Die Erfindung beschreibt die Herstellung integrierter supraleitender Strukturen in Schaltungen und Schaltungselementen auf der Basis von Silizium- bzw. Germanium-Wafern durch Implementieren von Ausscheidungen, neuen chemischen Verbindungen oder einer Dotierung via Ionenimplantation und anschließender Kurzzeitausheilung. Vorteil dieser Strukturen ist die kostengünstige Produktion, und der höheren Leistungsdichte dieser Schaltungen bezüglich Transistorschaltungen. Diese Strukturen ermöglichen die Steuerung quantenmechanischer Interferenzerscheinungen mit Hilfe eines äußeren Magnetfeldes oder auf dem Chip erzeugten Magnetfeldes. Eine weitere Einsatzmöglichkeit bieten Logikschaltungen für das Quantum Computing.

  • Patent
    WO 2012037936A1 - 29.03.2012
  • Patent
    DE102010039911A1 - Offenlegung - 01.03.2012, Zurückweisung - 22.01.2013; Nachanmeldung WO

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-18416