P1604 - Verfahren und Mittel zum Betrieb eines komplementären analogen rekonfigurierbaren memristiven Widerstandsschalters sowie dessen Verwendung als künstliche Synapse


P1604 - Verfahren und Mittel zum Betrieb eines komplementären analogen rekonfigurierbaren memristiven Widerstandsschalters sowie dessen Verwendung als künstliche Synapse

Du, N.; Li, K.; Schmidt, H.; Skorupa, I.

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb eines elektronischen memristiven Bauelementes, welches aus einem komplementären analogen rekonfigurierbaren memristiven bidirektionalen Widerstandsschalter besteht, welcher eine Dreilagenschicht und zwei Elektroden aufweist. Das erfindungsgemäße Verfahren schlägt angepasste Schreibprozesse vor, die mittels der Überlagerung von Schreibpulssequenzen die Festlegung eines Zustandspaares komplementärer Widerstandszustände realisieren. In Verbindung mit Lesepulsen angepasster Polarität kann das elektronische memristive Bauelement Fuzzy-Logik umsetzen und als künstliche Synapse mit der Realisierung aller vier Lernkurven für komplementäres Lernen betrieben werden. Eine Mehrzahl von Verwendungsmöglichkeiten des erfindungsgemäß betriebenen Bauelementes wird vorgeschlagen.

  • Patent
    DE102016205860 - Offenlegung: 12.10.2017; Nachanmeldungen: WO, CN, US

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-31159